碳化硅（SiC）属于第三代宽禁带半导体材料，是功率电子领域的前沿核心材料，区别于传统硅基半导体。碳化硅拥有更宽的禁带宽度，击穿场强约为硅材料的 10 倍，具备低开关损耗、耐高温、高热导率、高开关频率四大核心材料特性。传统硅基功率器件在高频、高温工况下开关损耗大，发热明显，限制电源效率提升；而碳化硅器件开关损耗远低于硅基器件，转换损耗大幅降低，器件可承受更高工作温度，导热能力显著优于硅，散热压力更小，即使在昼夜温差大、高温潮湿的户外恶劣环境，依然能够长期稳定工作。

依托碳化硅材料的先天优势，本次升级的 LED 驱动电源实现多项性能跃升。电源整机转换效率进一步提高，减少电能损耗，助力照明项目节能降碳；整机温升显著降低，减缓元器件老化速度，延长电源使用寿命；高耐温特性，完美适配隧道、道路等户外高温、多粉尘工况。